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深圳市中立信电子科技有限公司
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BC846BPDW1T1G 双极晶体管 ON
BC846BPDW1T1G
ON（安森美）
SC-70
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
PNP型
80 V
6 V
0.6 V
0.1 A
产品信息
BC846BPDW1T1G
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V Dual Complementary
Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals
These BC846BPDW1T1G transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications.
BC846BPDW1T1G Features
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
型号: BC846BPDW1T1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
晶体管极性: NPN, PNP
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 65 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.6 V
直流电集电极电流: 0.1 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 150 ℃
系列: BC846BPDW1
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
封装: Cut Tape
封装: Reel
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 0.1 A
CNHTS: 8541210000
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150
HTS Code: 8541210075
MXHTS: 85412101
Pd-功率耗散: 380 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
TARIC: 8541210000
单位重量: 28 mg
